Obsah
Spoločnosť Samsung začala sériovo vyrábať jednorázový úložný priestor eUFS 2.1, oznámila spoločnosť dnes. Oznámenie prichádza po zvesti, že spoločnosť predstaví variant Galaxy S10 s terabajtom úložiska. Vysokokapacitná pamäť typu flash využíva rovnaký fyzický priestor ako predtým ohlásená pamäť 512 GB, ktorá sa nachádza v špičkovej verzii Galaxy Note 9.
Úložisko je založené na pokrokovej technológii flash pamäte V-NAND od spoločnosti Samsung, ktorá má zvýšenú hustotu, nižšie požiadavky na energiu a všeobecne rýchlejšie rýchlosti. Využíva vertikálne stohovanie jednotlivých buniek NAND, ktoré je v porovnaní s horizontálnym vrstveným usporiadaním bežného NAND oveľa efektívnejšie.
Čo môžu používatelia očakávať?
Zatiaľ čo spoločnosť Samsung tvrdí, že úložisko založené na eUFS 2.1 dokáže dosiahnuť sekvenčné rýchlosti čítania až 1 000 megabajtov za sekundu, je nepravdepodobné, že toto číslo dosiahnete pri použití v reálnom svete. Náhodné rýchlosti sú to, na čom záleží, a predbežné čísla zverejnené spoločnosťou Samsung ukazujú, že aj tie sa trochu zlepšili.
Obzvlášť náhodné rýchlosti zápisu by mali pomôcť aplikáciám, ako je nepretržité snímanie vysokých snímok. Doteraz bola väčšina telefónov obmedzená na niekoľko sekúnd snímania videa s vysokou snímkovou frekvenciou. Spoločnosť Samsung tvrdí, že vyššie rýchlosti čítania a zápisu na novom riešení 1 terabajtového úložného priestoru založenom na V-NAND budú stačiť na umožnenie nepretržitého a dlhodobého záznamu videa rýchlosťou 960 snímok za sekundu.
Výroba úložiska flash sa začala v závode spoločnosti Samsung v Pyeongtaeku v Kórei a očakávame, že začneme počuť spustenie telefónov s veľkokapacitným úložiskom v MWC. Na základe predchádzajúcich špekulácií a potvrdenia spustenia systému Galaxy S10 20. februára je veľká šanca, že úložisko bude súčasťou verzie tohto telefónu.
Čo si myslíte o terabajte úložného priestoru v telefóne? Prenášate dostatok médií na zdôvodnenie vysokej kapacity, alebo ste si osvojili budúcnosť v cloude?
